MOSFET Nexperia 2N7002PW,115, VDSS 60 V, ID 310 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 780-5348PMarca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: 2N7002PW,115
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Nexperia

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

310 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-323

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.6 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.1V

Disipación de Potencia Máxima

260 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,6 nC a 2,5 V

Profundidad

1.35mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1mm

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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P.O.A.

MOSFET Nexperia 2N7002PW,115, VDSS 60 V, ID 310 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 200.

Producción -

Disponible en múltiplos de 200.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

200

Disponible en múltiplos de 200
200P.O.A.
400P.O.A.
600P.O.A.
800P.O.A.
1000P.O.A.
1200P.O.A.
1400P.O.A.
1600P.O.A.
1800P.O.A.
2000P.O.A.
2200P.O.A.
2400P.O.A.
2600P.O.A.
2800P.O.A.
3000P.O.A.

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.6 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

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1.1V

Disipación de Potencia Máxima

260 mW

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Single

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+150 ºC

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2.2mm

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Si

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