MOSFET Nexperia 2N7002PS,115, VDSS 60 V, ID 320 mA, SOT-363 de 6 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 781-6708PMarca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: 2N7002PS,115
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Nexperia

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

320 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-363

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.1V

Disipación de Potencia Máxima

420 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,6 nC a 2,5 V

Ancho

1.35mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Altura

1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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P.O.A.

MOSFET Nexperia 2N7002PS,115, VDSS 60 V, ID 320 mA, SOT-363 de 6 pines, , config. Simple
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Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 50.

Producción -

Disponible en múltiplos de 50.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

50

Disponible en múltiplos de 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

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SOT-363

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.1V

Disipación de Potencia Máxima

420 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,6 nC a 2,5 V

Ancho

1.35mm

Material del transistor

Si

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1

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