Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
360 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
420 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,6 nC a 4,5 V
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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$ 47
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 55,93
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
$ 47
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$ 55,93
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
---|---|---|
3000 - 6000 | $ 47 | $ 141.000 |
9000+ | $ 45 | $ 135.000 |
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Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
360 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
420 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,6 nC a 4,5 V
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto