MOSFET Nexperia 2N7002BKW,115, VDSS 60 V, ID 310 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
310 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
330 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,5 nC a 4,5 V
Ancho
1.35mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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P.O.A.
200
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N
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
330 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,5 nC a 4,5 V
Ancho
1.35mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
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