MOSFET Nexperia 2N7002,215, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
0,83 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud:
3mm
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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$ 69
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 82,11
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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3000
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | $ 69 | $ 207.000 |
| 6000 - 12000 | $ 67 | $ 201.000 |
| 15000 - 27000 | $ 64 | $ 192.000 |
| 30000 - 57000 | $ 63 | $ 189.000 |
| 60000+ | $ 61 | $ 183.000 |
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N
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Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
0,83 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud:
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Profundidad
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Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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