MOSFET Microchip VP2106N3-G, VDSS 60 V, ID 250 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
250 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
5.08mm
Ancho
4.06mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
2V
Altura
5.33mm
Datos del producto
Transistores MOSFET de modo de mejora de canal P Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de mejora (normalmente apagado) de canal P de Microchip es adecuada para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación que requieren baja tensión de umbral, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
MOSFET Transistors, Microchip
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-60 V
Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
5.08mm
Ancho
4.06mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
2V
Altura
5.33mm
Datos del producto
Transistores MOSFET de modo de mejora de canal P Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de mejora (normalmente apagado) de canal P de Microchip es adecuada para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación que requieren baja tensión de umbral, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
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