Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
190 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
240 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
5.2mm
Ancho
4.19mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
5.33mm
Datos del producto
Transistores MOSFET de modo de mejora de canal N Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de mejora (normalmente apagado) de canal N de Microchip es adecuada para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación que requieren baja tensión de umbral, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
MOSFET Transistors, Microchip
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
190 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
240 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
5.2mm
Ancho
4.19mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
5.33mm
Datos del producto
Transistores MOSFET de modo de mejora de canal N Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de mejora (normalmente apagado) de canal N de Microchip es adecuada para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación que requieren baja tensión de umbral, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.