MOSFET Microchip TP2104N3-G, VDSS 40 V, ID 175 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
175 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
740 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
4.06mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
5.08mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
5.33mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
2V
Datos del producto
Transistores MOSFET de modo de mejora de canal P Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de mejora (normalmente apagado) de canal P de Microchip es adecuada para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación que requieren baja tensión de umbral, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
MOSFET Transistors, Microchip
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$ 20.150
$ 806 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
$ 23.978
$ 959,14 Each (In a Pack of 25) (IVA Inc.)
Estándar
25
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 25 - 75 | $ 806 | $ 20.150 |
| 100+ | $ 742 | $ 18.550 |
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P
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175 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
740 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
4.06mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
5.08mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
5.33mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
2V
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Transistores MOSFET de modo de mejora de canal P Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de mejora (normalmente apagado) de canal P de Microchip es adecuada para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación que requieren baja tensión de umbral, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
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