Conjuntos MOSFET Microchip, Canal P, Canal N-Canal TC6320K6-G, VDSS 200 V, ID 2 A, VDFN, Mejora de 8 pines, 1, config.

Los MOSFET de canal N y canal P de alta tensión y umbral bajo de Microchip en encapsulados VDFN y SOIC de 8 cables disponen de resistencias de puerta a fuente integradas y abrazaderas de diodo Zener de puerta a fuente, lo que los convierte en ideales para aplicaciones de pulsadores de alta tensión. Este par MOSFET complementario de canal N y canal P con abrazadera de puerta de alta velocidad y alta tensión utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. La combinación ofrece las capacidades de manejo de potencia de los transistores bipolares junto con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo típico de los dispositivos MOS. Al igual que con todas las estructuras MOS, estos dispositivos están libres de fugas térmicas y fallos secundarios inducidos térmicamente.

• Umbral bajo
• Resistencia de conexión baja
• Baja capacitancia de entrada
• Velocidad de conmutación rápida
• Libre de averías secundarias
• Baja fuga de entrada y salida