Microchip Memoria flash Doble puerta, Paralelo 4 MB, 512 k x 8 Bit, 70 ns, PLCC, 32 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Producto
Memoria flash
Tamaño de la Memoria
4MB
Tipo de Interfaz
Parallel
Encapsulado
PLCC
Número de pines
32
Tipo de Montaje
Superficie
Tipo de Célula
Doble puerta
Máxima Tensión de Alimentación
5.5V
Tensión de alimentación mínima
4.5V
Tipo de temporización
Asynchronous
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40°C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
85°C
Certificaciones y estándares
No
Altura
2.84mm
Longitud:
14.05mm
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
70ns
Serie
SST39SF040
Estándar de automoción
No
Número de Palabras
512K
Número de bits por palabra
8
Corriente de suministro
25mA
Datos del producto
Memoria SuperFlash® en paralelo SST39SF010A/020A/040
Los dispositivos de la gama SST39SF010A/020A/040 de Microchip son CI de memoria en paralelo SuperFlash® para múltiples usos.
Características
Operaciones de lectura y escritura de 4,5-5,5 V
Duración: 100.000 ciclos (típico)
Bajo consumo de potencia: corriente activa de 10 mA, corriente en standby de 30 μA (valores típicos a 14 MHz)
Capacidad de borrado de sector: sectores uniformes de 4 Kbytes
Tiempo de acceso de lectura: 55 a 70 ns
Tiempo de borrado de sector: 18 ms
Tiempo de borrado de chip: 70 ms (típico)
Tiempo de programas de bytes: 14 μs (típico)
Tiempo de reescritura de chip: SST39SF010A de 2 segundos, SST39SF020A de 4 segundos, SST39SF040 de 8 segundos (valores típicos)
Datos y direcciones con bloqueo
Temporización de escritura automática: generación interna de VPP
Detección de fin de escritura, bit basculador, sondeo de datos
Compatibilidad con E/S TTL
JEDEC estándar - conjuntos de comandos y configuraciones de pines Flash EEPROM
Flash Memory, Microchip
Idear. Crear. Colaborar
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Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
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4MB
Tipo de Interfaz
Parallel
Encapsulado
PLCC
Número de pines
32
Tipo de Montaje
Superficie
Tipo de Célula
Doble puerta
Máxima Tensión de Alimentación
5.5V
Tensión de alimentación mínima
4.5V
Tipo de temporización
Asynchronous
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40°C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
85°C
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No
Altura
2.84mm
Longitud:
14.05mm
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
70ns
Serie
SST39SF040
Estándar de automoción
No
Número de Palabras
512K
Número de bits por palabra
8
Corriente de suministro
25mA
Datos del producto
Memoria SuperFlash® en paralelo SST39SF010A/020A/040
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Características
Operaciones de lectura y escritura de 4,5-5,5 V
Duración: 100.000 ciclos (típico)
Bajo consumo de potencia: corriente activa de 10 mA, corriente en standby de 30 μA (valores típicos a 14 MHz)
Capacidad de borrado de sector: sectores uniformes de 4 Kbytes
Tiempo de acceso de lectura: 55 a 70 ns
Tiempo de borrado de sector: 18 ms
Tiempo de borrado de chip: 70 ms (típico)
Tiempo de programas de bytes: 14 μs (típico)
Tiempo de reescritura de chip: SST39SF010A de 2 segundos, SST39SF020A de 4 segundos, SST39SF040 de 8 segundos (valores típicos)
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Temporización de escritura automática: generación interna de VPP
Detección de fin de escritura, bit basculador, sondeo de datos
Compatibilidad con E/S TTL
JEDEC estándar - conjuntos de comandos y configuraciones de pines Flash EEPROM
Flash Memory, Microchip
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