Uso dual

Microchip Flash Multiusos Doble puerta, Paralelo SST39SF010A-70-4C-WHE 1 MB, 128K x 8 bit, 70 ns, TSOP, 32 pines

Código de producto RS: 823-4494PMarca: MicrochipNúmero de parte de fabricante: SST39SF010A-70-4C-WHE
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tamaño de la Memoria

1MB

Tipo de Producto

Flash Multiusos

Tipo de Interfaz

Parallel

Tipo de Encapsulado

TSOP

Número de pines

32

Organización

128K x 8 bit

Tipo de Montaje

Surface

Tipo de célula

Split Gate

Tensión de Alimentación Máxima

5.5V

Tensión de alimentación mínima

4.5V

Tipo de temporización

Asynchronous

Temperatura de Funcionamiento Mínima

0°C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

70°C

Altura

1.05mm

Largo

8.1mm

Ancho

12.5 mm

Certificaciones y estándares

RoHS, JEDEC

Número de bits por palabra

8

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

70ns

Series

SST39

Estándar de automoción

No

Número de Palabras

128k

Datos del producto

Memoria SuperFlash® en paralelo SST39SF010A/020A/040

Los dispositivos de la gama SST39SF010A/020A/040 de Microchip son CI de memoria en paralelo SuperFlash® para múltiples usos.

Características

Operaciones de lectura y escritura de 4,5-5,5 V
Duración: 100.000 ciclos (típico)
Bajo consumo de potencia: corriente activa de 10 mA, corriente en standby de 30 μA (valores típicos a 14 MHz)
Capacidad de borrado de sector: sectores uniformes de 4 Kbytes
Tiempo de acceso de lectura: 55 a 70 ns
Tiempo de borrado de sector: 18 ms
Tiempo de borrado de chip: 70 ms (típico)
Tiempo de programas de bytes: 14 μs (típico)
Tiempo de reescritura de chip: SST39SF010A de 2 segundos, SST39SF020A de 4 segundos, SST39SF040 de 8 segundos (valores típicos)
Datos y direcciones con bloqueo
Temporización de escritura automática: generación interna de VPP
Detección de fin de escritura, bit basculador, sondeo de datos
Compatibilidad con E/S TTL
JEDEC estándar - conjuntos de comandos y configuraciones de pines Flash EEPROM

Flash Memory, Microchip

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P.O.A.

Each (Supplied in a Tray) (Sin IVA)

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Parallel

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32

Organización

128K x 8 bit

Tipo de Montaje

Surface

Tipo de célula

Split Gate

Tensión de Alimentación Máxima

5.5V

Tensión de alimentación mínima

4.5V

Tipo de temporización

Asynchronous

Temperatura de Funcionamiento Mínima

0°C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

70°C

Altura

1.05mm

Largo

8.1mm

Ancho

12.5 mm

Certificaciones y estándares

RoHS, JEDEC

Número de bits por palabra

8

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

70ns

Series

SST39

Estándar de automoción

No

Número de Palabras

128k

Datos del producto

Memoria SuperFlash® en paralelo SST39SF010A/020A/040

Los dispositivos de la gama SST39SF010A/020A/040 de Microchip son CI de memoria en paralelo SuperFlash® para múltiples usos.

Características

Operaciones de lectura y escritura de 4,5-5,5 V
Duración: 100.000 ciclos (típico)
Bajo consumo de potencia: corriente activa de 10 mA, corriente en standby de 30 μA (valores típicos a 14 MHz)
Capacidad de borrado de sector: sectores uniformes de 4 Kbytes
Tiempo de acceso de lectura: 55 a 70 ns
Tiempo de borrado de sector: 18 ms
Tiempo de borrado de chip: 70 ms (típico)
Tiempo de programas de bytes: 14 μs (típico)
Tiempo de reescritura de chip: SST39SF010A de 2 segundos, SST39SF020A de 4 segundos, SST39SF040 de 8 segundos (valores típicos)
Datos y direcciones con bloqueo
Temporización de escritura automática: generación interna de VPP
Detección de fin de escritura, bit basculador, sondeo de datos
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