Memoria flash, SPI SST26WF016B-104I/SN 16Mbit, 2M x 8 bits, 3ns, SOIC, 8 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTamaño de la Memoria
16Mbit
Tipo de Interfaz
De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Conteo de Pines
8
Organización
2M x 8 bits
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Célula
Split Gate
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
1.65 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
1.95 V
Organización de Bloques
Symmetrical
Longitud
4.9mm
Altura
1.25mm
Profundidad
3.9mm
Dimensiones del Cuerpo
4.9 x 3.9 x 1.25mm
Serie
SST26
Número de Palabras
2M
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Número de Bits de Palabra
8bit
Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
3ns
Datos del producto
Memoria SuperFlash® Serial Quad I/O (SQI) SST26WF040B/080B/016B
La gama de productos SST26WFxxxB de Microchip está formada por dispositivos de memoria Flash Serial Quad I/O (SQI), disponibles en variantes de 4, 8 y 16 bits. Estos dispositivos también admiten compatibilidad de conjuntos completos de comandos con protocolo de interfaz periférica serie (SPI) y permiten capacidades de XIP (ejecución en el lugar) de latencia mínima sin necesidad de realizar una copia de código en una SRAM. Los dispositivos SST26WFxxxB presentan bajo consumo de alimentación, por lo que son ideales para aplicaciones portátiles de alimentación por batería.
Características
Rango de tensión de funcionamiento de 1,6 a 1,95 V
Frecuencia de reloj de 104 MHz máx.
Arquitectura de interfaz serie
Bajo consumo de alimentación: corriente de lectura activa: 15 mA (típica a 104 MHz), corriente en standby: 10 μA (típica)
Modos de ráfagas: ráfaga lineal continua, ráfaga lineal de 8/16/32/64 bytes con recubrimiento
Programa de páginas: 256 bytes por página en modo x1 o x4
Tiempo de borrado rápido: borrado de bloque/sector de 18 ms (típico), 25 ms (máx.); borrado de chip de 35 ms (típico), 50 ms (máx.)
Capacidad de borrado flexible
Detección de final de escritura
Suspensión de escritura
Protección de software
Modo de reset de software (RST)
SFDP (parámetros detectables de Flash serie)
Flash Memory, Microchip
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MicrochipTamaño de la Memoria
16Mbit
Tipo de Interfaz
De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Conteo de Pines
8
Organización
2M x 8 bits
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Célula
Split Gate
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
1.65 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
1.95 V
Organización de Bloques
Symmetrical
Longitud
4.9mm
Altura
1.25mm
Profundidad
3.9mm
Dimensiones del Cuerpo
4.9 x 3.9 x 1.25mm
Serie
SST26
Número de Palabras
2M
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Número de Bits de Palabra
8bit
Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
3ns
Datos del producto
Memoria SuperFlash® Serial Quad I/O (SQI) SST26WF040B/080B/016B
La gama de productos SST26WFxxxB de Microchip está formada por dispositivos de memoria Flash Serial Quad I/O (SQI), disponibles en variantes de 4, 8 y 16 bits. Estos dispositivos también admiten compatibilidad de conjuntos completos de comandos con protocolo de interfaz periférica serie (SPI) y permiten capacidades de XIP (ejecución en el lugar) de latencia mínima sin necesidad de realizar una copia de código en una SRAM. Los dispositivos SST26WFxxxB presentan bajo consumo de alimentación, por lo que son ideales para aplicaciones portátiles de alimentación por batería.
Características
Rango de tensión de funcionamiento de 1,6 a 1,95 V
Frecuencia de reloj de 104 MHz máx.
Arquitectura de interfaz serie
Bajo consumo de alimentación: corriente de lectura activa: 15 mA (típica a 104 MHz), corriente en standby: 10 μA (típica)
Modos de ráfagas: ráfaga lineal continua, ráfaga lineal de 8/16/32/64 bytes con recubrimiento
Programa de páginas: 256 bytes por página en modo x1 o x4
Tiempo de borrado rápido: borrado de bloque/sector de 18 ms (típico), 25 ms (máx.); borrado de chip de 35 ms (típico), 50 ms (máx.)
Capacidad de borrado flexible
Detección de final de escritura
Suspensión de escritura
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