Microchip AEC-Q100 Memoria flash Doble puerta, SPI SST26VF064B-104I/SM 64 MB, 8M x 8 Bit, 3 ns, SOIJ, 8 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTamaño de la Memoria
64MB
Tipo de Producto
Memoria flash
Tipo de Interfaz
SPI
Tipo de Encapsulado
SOIJ
Número de pines
8
Organización
8M x 8 Bit
Frecuencia del reloj máxima
104MHz
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de célula
Split Gate
Tensión de alimentación mínima
2.7V
Tensión de Alimentación Máxima
3.6V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
85°C
Ancho
5.25 mm
Altura
1.98mm
Largo
5.26mm
Certificaciones y estándares
No
Número de bits por palabra
8
Corriente de suministro
20mA
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
3ns
Series
SST26VF064B
Estándar de automoción
AEC-Q100
Número de Palabras
8K
Datos del producto
Memoria SuperFlash® Serial Quad I/O (SQI) SST26VF016B/032B/064B
La gama SST26VF016B/032B/064B de dispositivos de Microchip son IC de memoria SuperFlash® de interfaz Serial Quad I/O™ (SQI™) que cuentan con una interfaz de E/S de 4 bits de seis hilos para un funcionamiento de baja potencia y alto rendimiento en un encapsulado de bajo recuento de contactos. El uso de la interfaz SQI™ de Microchip proporciona un rendimiento de hasta 104 MHz y aporta capacidad de XIP (ejecución en el lugar) de baja latencia con mínima memoria de búfer de procesador. Estos chips de memoria Flash también admiten compatibilidad de conjuntos completos de comandos con el protocolo de interfaz periférica serie (SPI) tradicional.
Gracias al uso de la tecnología SuperFlash®, estos dispositivos ofrecen excepcionales tiempos de borrado, por lo que demuestran grandes ventajas en comparación con otras alternativas de memoria Flash. Los comandos de borrado de bloque y sector normalmente se completan en 18 ms, mientras que la operación de borrado total de chip suele tardar 35 ms.
Características
Arquitectura de interfaz serie: E/S multiplexadas de cuarteto con estructura de comandos serie tipo SPI
Protocolo de interfaz periférica serie (SPI) x1/x2/x4
Frecuencia de reloj de alta velocidad - 104 MHz máx.
Modos de ráfagas
Bajo consumo de potencia: lectura activa de 15 mA (típica de 104 MHz), en standby de 15 μA (típica)
Tiempo de borrado rápido: borrado de bloque/sector de 18 ms (típico), borrado de chip de 35 ms (típico)
Capacidad de borrado flexible
Software de protección contra escritura
Flash Memory, Microchip
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$ 8.380
$ 4.190 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 9.972
$ 4.986,10 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
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2
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | $ 4.190 | $ 8.380 |
| 10 - 22 | $ 4.079 | $ 8.158 |
| 24 - 98 | $ 3.977 | $ 7.954 |
| 100+ | $ 3.882 | $ 7.764 |
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64MB
Tipo de Producto
Memoria flash
Tipo de Interfaz
SPI
Tipo de Encapsulado
SOIJ
Número de pines
8
Organización
8M x 8 Bit
Frecuencia del reloj máxima
104MHz
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de célula
Split Gate
Tensión de alimentación mínima
2.7V
Tensión de Alimentación Máxima
3.6V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
85°C
Ancho
5.25 mm
Altura
1.98mm
Largo
5.26mm
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No
Número de bits por palabra
8
Corriente de suministro
20mA
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
3ns
Series
SST26VF064B
Estándar de automoción
AEC-Q100
Número de Palabras
8K
Datos del producto
Memoria SuperFlash® Serial Quad I/O (SQI) SST26VF016B/032B/064B
La gama SST26VF016B/032B/064B de dispositivos de Microchip son IC de memoria SuperFlash® de interfaz Serial Quad I/O™ (SQI™) que cuentan con una interfaz de E/S de 4 bits de seis hilos para un funcionamiento de baja potencia y alto rendimiento en un encapsulado de bajo recuento de contactos. El uso de la interfaz SQI™ de Microchip proporciona un rendimiento de hasta 104 MHz y aporta capacidad de XIP (ejecución en el lugar) de baja latencia con mínima memoria de búfer de procesador. Estos chips de memoria Flash también admiten compatibilidad de conjuntos completos de comandos con el protocolo de interfaz periférica serie (SPI) tradicional.
Gracias al uso de la tecnología SuperFlash®, estos dispositivos ofrecen excepcionales tiempos de borrado, por lo que demuestran grandes ventajas en comparación con otras alternativas de memoria Flash. Los comandos de borrado de bloque y sector normalmente se completan en 18 ms, mientras que la operación de borrado total de chip suele tardar 35 ms.
Características
Arquitectura de interfaz serie: E/S multiplexadas de cuarteto con estructura de comandos serie tipo SPI
Protocolo de interfaz periférica serie (SPI) x1/x2/x4
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Modos de ráfagas
Bajo consumo de potencia: lectura activa de 15 mA (típica de 104 MHz), en standby de 15 μA (típica)
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