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¿Qué busca?
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Producto
Módulo de potencia SiC
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
295A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
3300V
Serie
mSiC
Tipo de Montaje
Heatsink
Modo de canal
Enhancement Mode
Disipación de potencia máxima Pd
1918W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Configuración de transistor
Half Bridge
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
El módulo de potencia de carburo de silicio de Microchip está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento, lo que proporciona funcionalidad de fuente común doble con una fiabilidad excepcional en condiciones exigentes. Este dispositivo gestiona eficazmente los requisitos de alta tensión y corriente.
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P.O.A.
1
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N
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3300V
Serie
mSiC
Tipo de Montaje
Heatsink
Modo de canal
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Disipación de potencia máxima Pd
1918W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Configuración de transistor
Half Bridge
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RoHS
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No
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