sin IVA
con IVA
¿Qué busca?
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Producto
Módulo de potencia SiC
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
151A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
3300V
Serie
mSiC
Tipo de Montaje
Heatsink
Modo de canal
Enhancement Mode
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40°C
Disipación de potencia máxima Pd
1013W
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Configuración de transistor
Half Bridge
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
El módulo de potencia SiC avanzado de Microchip ofrece un diseño de pestaña de fase con impresionantes valores nominales, diseñado principalmente para aplicaciones de alta eficiencia en electrónica de potencia, lo que garantiza fiabilidad y rendimiento superior en condiciones exigentes.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
1
P.O.A.
Volver a intentar más tarde
1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Producto
Módulo de potencia SiC
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
151A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
3300V
Serie
mSiC
Tipo de Montaje
Heatsink
Modo de canal
Enhancement Mode
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40°C
Disipación de potencia máxima Pd
1013W
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Configuración de transistor
Half Bridge
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
El módulo de potencia SiC avanzado de Microchip ofrece un diseño de pestaña de fase con impresionantes valores nominales, diseñado principalmente para aplicaciones de alta eficiencia en electrónica de potencia, lo que garantiza fiabilidad y rendimiento superior en condiciones exigentes.