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¿Qué busca?
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Producto
Módulo de potencia SiC
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
295A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
3300V
Serie
mSiC
Tipo de Montaje
Heatsink
Modo de canal
Enhancement Mode
Disipación de potencia máxima Pd
1918W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Configuración de transistor
Half Bridge
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
El módulo de potencia de carburo de silicio de Microchip es una solución de paso de fase diseñada para aplicaciones de alta tensión y alta corriente, que aprovecha la tecnología de carburo de silicio para un rendimiento y una fiabilidad superiores.
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P.O.A.
1
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N
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3300V
Serie
mSiC
Tipo de Montaje
Heatsink
Modo de canal
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Disipación de potencia máxima Pd
1918W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Configuración de transistor
Half Bridge
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RoHS
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No
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El módulo de potencia de carburo de silicio de Microchip es una solución de paso de fase diseñada para aplicaciones de alta tensión y alta corriente, que aprovecha la tecnología de carburo de silicio para un rendimiento y una fiabilidad superiores.