Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de producto
Barrera Schottky
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Encapsulado
SOT-227
Corriente continua máxima directa lf
50A
Tensión repetitiva inversa de pico Vrrm
1700V
Serie
MSC2
Tipo de rectificador
Diodo Schottky
Tensión directa máxima Vf
1.8V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los diodos de barrera Schottky de potencia (SBD) de carburo de silicio (SiC) de Microchip aumentan el rendimiento con respecto a las soluciones de diodo de silicio, al tiempo que reducen el coste total de propiedad para aplicaciones de alta tensión.
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P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
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