Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
140A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
12V
Encapsulado
TO-247
Serie
MSC035SMA070B4
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
8Ω
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
99nC
Disipación de potencia máxima Pd
1.6W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión máxima de la fuente de la puerta
2V
Tensión directa Vf
1.8V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
La línea de productos MOSFET de potencia de carburo de silicio de Microchip de Micro semi aumenta el rendimiento con respecto a las soluciones IGBT de silicio y MOSFET de silicio al tiempo que reduce el coste total de propiedad para aplicaciones de alta tensión.
Volver a intentar más tarde
$ 541.020
$ 18.034 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 643.814
$ 21.460,46 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
$ 541.020
$ 18.034 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 643.814
$ 21.460,46 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
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30
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 90 | $ 18.034 | $ 541.020 |
| 120+ | $ 16.555 | $ 496.650 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
140A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
12V
Encapsulado
TO-247
Serie
MSC035SMA070B4
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
8Ω
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
99nC
Disipación de potencia máxima Pd
1.6W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión máxima de la fuente de la puerta
2V
Tensión directa Vf
1.8V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
La línea de productos MOSFET de potencia de carburo de silicio de Microchip de Micro semi aumenta el rendimiento con respecto a las soluciones IGBT de silicio y MOSFET de silicio al tiempo que reduce el coste total de propiedad para aplicaciones de alta tensión.