MOSFET Microchip LND01K1-G, VDSS 9 V, ID 330 mA, SOT-23 de 5 pines, config. Simple

Código de producto RS: 912-5259Marca: MicrochipNúmero de parte de fabricante: LND01K1-G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Microchip

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

330 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

9 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

5

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.4 Ω

Modo de Canal

Depletion

Disipación de Potencia Máxima

360 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-12 V, +0.6 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

125 °C

Longitud:

3.05mm

Profundidad

1.75mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-25 °C

Altura

1.3mm

Datos del producto

Transistores MOSFET de canal N LND01

Microchip LND01 es un transistor MOSFET de modo de reducción (normalmente activado) y de umbral bajo. El diseño combina la capacidad de gestión de potencia de un transistor bipolar con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos MOS.

Características

Bidireccional
Baja resistencia
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Alta impedancia de entrada y ganancia alta
Bajos requisitos de potencia de excitación
Facilidad de funcionamiento en paralelo

MOSFET Transistors, Microchip

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P.O.A.

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Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 25.

Producción -

Disponible en múltiplos de 25.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

25

Disponible en múltiplos de 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

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9 V

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SOT-23-5

Tipo de montaje

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Conteo de Pines

5

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.4 Ω

Modo de Canal

Depletion

Disipación de Potencia Máxima

360 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-12 V, +0.6 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

125 °C

Longitud:

3.05mm

Profundidad

1.75mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-25 °C

Altura

1.3mm

Datos del producto

Transistores MOSFET de canal N LND01

Microchip LND01 es un transistor MOSFET de modo de reducción (normalmente activado) y de umbral bajo. El diseño combina la capacidad de gestión de potencia de un transistor bipolar con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos MOS.

Características

Bidireccional
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