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El transistor de conmutación de silicio NPN endurecido por radiación de Microchip es un dispositivo de señal pequeña de 3 contactos diseñado para su uso en entornos expuestos a radiación. Presenta una tensión nominal de 40 V, una capacidad de corriente de 800 mA y una disipación de potencia de 500 mW. Este transistor está diseñado específicamente para garantizar un rendimiento de conmutación fiable en aplicaciones aeroespaciales, militares y de alta radiación, lo que ofrece una durabilidad robusta y un funcionamiento eficiente en condiciones exigentes.
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$ 17.227,63 Each (In a Box of 40) (IVA Inc.)
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