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Especificaciones
Datos del producto
El transistor de conmutación de silicio NPN endurecido por radiación de Microchip está diseñado para un alto rendimiento en entornos exigentes, ya que ofrece una tensión nominal de 40 V, una capacidad de corriente de 800 mA y una disipación de potencia de 500 mW. Este transistor de señal pequeña de 3 pines está endurecido por radiación, lo que lo convierte en adecuado para usar en aplicaciones espaciales, militares y otras que requieren resistencia a la radiación. Su diseño robusto garantiza un funcionamiento fiable en condiciones exigentes, lo que proporciona un rendimiento de conmutación eficiente.
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$ 580.992
$ 11.392 Each (In a Box of 51) (Sin IVA)
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$ 13.556,48 Each (In a Box of 51) (IVA Inc.)
51
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