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Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Producto
Bipolar Transistor
Corriente de colector DC máxima ldc
800mA
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
50V dc
Encapsulado
TO-206AA
Tipo de Montaje
Through Hole
Polaridad del transistor
NPN
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65°C
Número de pines
3
Máxima Temperatura de Funcionamiento
200°C
Certificaciones y estándares
No
Serie
2N2222A
Estándar de automoción
No
Datos del producto
El transistor de conmutación de silicio NPN reforzado contra la radiación de Microchip está diseñado para ofrecer un alto rendimiento en entornos difíciles, con una tensión nominal de 40 V, una capacidad de corriente de 800 mA y una disipación de potencia de 500 mW. Este transistor de señal pequeña de 3 patillas está endurecido contra la radiación, lo que lo hace adecuado para su uso en aplicaciones espaciales, militares y de otro tipo que requieran resistencia a la radiación. Su robusto diseño garantiza un funcionamiento fiable en condiciones exigentes, proporcionando un rendimiento de conmutación eficiente.
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$ 571.311
$ 4.883 Each (In a Box of 117) (Sin IVA)
$ 679.860
$ 5.810,77 Each (In a Box of 117) (IVA Inc.)
117
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NPN
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No
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El transistor de conmutación de silicio NPN reforzado contra la radiación de Microchip está diseñado para ofrecer un alto rendimiento en entornos difíciles, con una tensión nominal de 40 V, una capacidad de corriente de 800 mA y una disipación de potencia de 500 mW. Este transistor de señal pequeña de 3 patillas está endurecido contra la radiación, lo que lo hace adecuado para su uso en aplicaciones espaciales, militares y de otro tipo que requieran resistencia a la radiación. Su robusto diseño garantiza un funcionamiento fiable en condiciones exigentes, proporcionando un rendimiento de conmutación eficiente.
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