MOSFET sencillos, FET DMOS de canal N-Canal Microchip DN3545N8-G, VDSS 500 V, ID 350 mA, Modo de agotamiento, TO-252

Name: MOSFET sencillos, FET DMOS de canal N-Canal Microchip DN3545N8-G, VDSS 500 V, ID 350 mA, Modo de agotamiento, TO-252
Brand: Microchip
SKU: 0598869

Código de producto RS: 598-869Marca: MicrochipNúmero de parte de fabricante: DN3545N8-G

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Microchip

Tipo de Producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

FET DMOS de canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

350mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Tipo de Encapsulado

TO-252 (D-PAK-3)

Series

DN3545

Tipo de Montaje

Surface

Número de pines

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10Ω

Modo de canal

Modo de agotamiento

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Tensión directa Vf

1.8V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Ancho

3 mm

Altura

2.29mm

Largo

4.4mm

Certificaciones y estándares

RoHS, ISO/TS‑16949

Estándar de automoción

Volver a intentar más tarde

P.O.A.

Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)

MOSFET sencillos, FET DMOS de canal N-Canal Microchip DN3545N8-G, VDSS 500 V, ID 350 mA, Modo de agotamiento, TO-252

2000

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500V

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Series

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10Ω

Modo de canal

Modo de agotamiento

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Tensión directa Vf

1.8V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Ancho

3 mm

Altura

2.29mm

Largo

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