MOSFET Microchip DN3545N3-G, VDSS 450 V, ID 130 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
450 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 Ω
Modo de Canal
Depletion
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
740 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.2mm
Profundidad
4.19mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
5.33mm
Datos del producto
Transistores MOSFET de modo de reducción de canal N Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.
Características
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Aplicaciones típicas
Interruptores normalmente activados
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones
MOSFET Transistors, Microchip
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P.O.A.
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450 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 Ω
Modo de Canal
Depletion
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
740 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.2mm
Profundidad
4.19mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
5.33mm
Datos del producto
Transistores MOSFET de modo de reducción de canal N Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.
Características
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
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Aplicaciones típicas
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