MOSFET sencillos, FET DMOS de canal N-Canal Microchip DN3145N8-G, VDSS 500 V, ID 350 mA, Modo de agotamiento, TO-252

Código de producto RS: 598-898Marca: MicrochipNúmero de parte de fabricante: DN3145N8-G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

FET DMOS de canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

350mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Encapsulado

TO-252 (D-PAK-3)

Serie

DN3145

Tipo de Montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10Ω

Modo de Canal

Modo de agotamiento

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.8V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

150°C

Longitud:

4.4mm

Altura

2.29mm

Certificaciones y estándares

ISO/TS‑16949, RoHS

Estándar de automoción

No

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$ 2.214.000

$ 1.107 Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)

$ 2.634.660

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Encapsulado

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Serie

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Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10Ω

Modo de Canal

Modo de agotamiento

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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Tensión directa Vf

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Temperatura de Funcionamiento Máxima

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