MOSFET Microchip DN2625DK6-G, VDSS 250 V, ID 1,1 A, DFN de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
1.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de Canal
Depletion
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,04 nC a 1,5 V
Profundidad
5.1mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
0.85mm
Tensión de diodo directa
1.8V
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal N DN2625
El Microchip DN2625 es un transistor MOSFET de modo de vaciado umbral bajo (normalmente encendido) que emplea una estructura vertical avanzada DMOS. El diseño combina la capacidad de gestión de potencia de un transistor bipolar con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos MOS.
Características
Baja tensión umbral de compuerta
Diseñados para accionamiento por fuente
Pérdidas de conmutación bajas
Baja capacitancia eficaz de salida
Diseñados para cargas inductivas
MOSFET Transistors, Microchip
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$ 4.725
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
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| 100+ | $ 4.412 | $ 22.060 |
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N
Maximum Continuous Drain Current
1.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de Canal
Depletion
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,04 nC a 1,5 V
Profundidad
5.1mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
0.85mm
Tensión de diodo directa
1.8V
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal N DN2625
El Microchip DN2625 es un transistor MOSFET de modo de vaciado umbral bajo (normalmente encendido) que emplea una estructura vertical avanzada DMOS. El diseño combina la capacidad de gestión de potencia de un transistor bipolar con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos MOS.
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Baja tensión umbral de compuerta
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