MOSFET de potencia Microchip, Tipo N-Canal DN2625DK6-G, VDSS 250 V, ID 1.1 A, DFN, Reducción de 8 pines, 1, config.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Producto
MOSFET de potencia
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
1.1A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
250V
Encapsulado
DFN
Serie
DN2625
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
3.5Ω
Modo de Canal
Depletion
Temperatura de Funcionamiento Mínima
150°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
7.04nC
Tensión directa Vf
1.8V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
-55°C
Configuración de transistor
Single
Altura
0.85mm
Longitud
5.1mm
Certificaciones y estándares
No
Número de elementos por chip
1
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal N DN2625
El Microchip DN2625 es un transistor MOSFET de modo de vaciado umbral bajo (normalmente encendido) que emplea una estructura vertical avanzada DMOS. El diseño combina la capacidad de gestión de potencia de un transistor bipolar con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos MOS.
Características
Baja tensión umbral de compuerta
Diseñados para accionamiento por fuente
Pérdidas de conmutación bajas
Baja capacitancia eficaz de salida
Diseñados para cargas inductivas
MOSFET Transistors, Microchip
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5
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MOSFET de potencia
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
1.1A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
250V
Encapsulado
DFN
Serie
DN2625
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
3.5Ω
Modo de Canal
Depletion
Temperatura de Funcionamiento Mínima
150°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
7.04nC
Tensión directa Vf
1.8V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
-55°C
Configuración de transistor
Single
Altura
0.85mm
Longitud
5.1mm
Certificaciones y estándares
No
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1
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal N DN2625
El Microchip DN2625 es un transistor MOSFET de modo de vaciado umbral bajo (normalmente encendido) que emplea una estructura vertical avanzada DMOS. El diseño combina la capacidad de gestión de potencia de un transistor bipolar con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos MOS.
Características
Baja tensión umbral de compuerta
Diseñados para accionamiento por fuente
Pérdidas de conmutación bajas
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