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Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Producto
Bipolar Transistor
Corriente de colector DC máxima ldc
800mA
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
50V dc
Encapsulado
UBC
Tipo de Montaje
Surface
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Polaridad del transistor
NPN
Máxima Temperatura de Funcionamiento
200°C
Número de pines
3
Certificaciones y estándares
No
Serie
2N2222A
Estándar de automoción
No
Datos del producto
El transistor de conmutación de silicio NPN reforzado contra la radiación de Microchip es un BJT de pequeña señal de 3 patillas diseñado para aplicaciones de alta fiabilidad en entornos propensos a la radiación. Con una tensión nominal de 40 V, una capacidad de corriente de 800 mA y una disipación de potencia de 500 mW, proporciona un rendimiento de conmutación eficiente. Este transistor está diseñado específicamente para resistir la exposición a la radiación, por lo que es ideal para su uso en aplicaciones espaciales, militares y otras aplicaciones exigentes en las que la durabilidad y el funcionamiento estable son fundamentales.
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¡Sin cuotas escondidas!
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$ 576.436
$ 11.764 Each (In a Box of 49) (Sin IVA)
$ 685.959
$ 13.999,16 Each (In a Box of 49) (IVA Inc.)
49
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