MOSFET Microchip TN2106K1-G, VDSS 60 V, ID 280 mA, TO-236 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
280 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
360 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.02mm
Serie
TN2106
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.8V
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$ 603
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 717,57
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
360 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
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