MOSFET Microchip 2N6661, VDSS 90 V, ID 350 mA, TO-39 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 177-9587Marca: MicrochipNúmero de parte de fabricante: 2N6661
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

350 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

90 V

Tipo de Encapsulado

TO-39

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

6.25 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Ancho

9.398 Dia.mm

Número de Elementos por Chip

1

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

6.6mm

Serie

2N6661

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

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$ 18.499

Cada Uno (En una Bolsa de 500) (Sin IVA)

$ 22.013,81

Cada Uno (En una Bolsa de 500) (IVA Incluido)

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N

Maximum Continuous Drain Current

350 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

90 V

Tipo de Encapsulado

TO-39

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

6.25 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Ancho

9.398 Dia.mm

Número de Elementos por Chip

1

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

6.6mm

Serie

2N6661

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C