Transistor MOSFET Magnatec IRF9620, VDSS 200 V, ID 3,5 A, TO-220AB de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MagnatecTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
10.67mm
Anchura
4.83mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.02mm
Datos del producto
MOSFETs - P-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
1
P.O.A.
Volver a intentar más tarde
1
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MagnatecTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
10.67mm
Anchura
4.83mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.02mm
Datos del producto
MOSFETs - P-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos