MOSFET Magnatec 2N6845, VDSS 100 V, ID 4 A, TO-39 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MagnatecTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-39
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
690 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
20000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
9.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
9.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16,3 nC a 10 V
Altura
4.57mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
United Kingdom
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal P, Semelab
MOSFET Transistors, Semelab
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P.O.A.
30
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P
Maximum Continuous Drain Current
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-39
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
690 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
20000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
9.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
9.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16,3 nC a 10 V
Altura
4.57mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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