MOSFET Magnatec 2N6796, VDSS 100 V, ID 8 A, TO-39 de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 177-5487Marca: MagnatecNúmero de parte de fabricante: 2N6796
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

TO-39

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

180 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

25000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Largo

9.4mm

Profundidad

9.4mm

Número de Elementos por Chip

1

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

4.57mm

País de Origen

United Kingdom

Datos del producto

Transistores MOSFET de canal N, Semelab

MOSFET Transistors, Semelab

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Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

8 A

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-100 V

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Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

180 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

25000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Largo

9.4mm

Profundidad

9.4mm

Número de Elementos por Chip

1

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

4.57mm

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