MOSFET MagnaChip MMF65R190PTH, VDSS 650 V, ID 20 A, TO-220F de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 871-5044Marca: MagnaChipNúmero de parte de fabricante: MMF65R190PTH
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

MagnaChip

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

20,2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

TO-220F

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

190 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

34 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Longitud

10.71mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

53 nC a 10 V

Ancho

4.93mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.4V

Altura

16.13mm

Datos del producto

Súper empalme MOSFET (SJ)

Estos MOSFET utilizan tecnología de súper empalme MagnaChip para proporcionar baja resistencia en funcionamiento y carga de compuerta. Son sumamente eficientes gracias al uso de tecnología de acoplamiento de carga optimizada.

EMI bajo
Baja pérdida de potencia mediante conmutación de alta velocidad y baja resistencia en funcionamiento

MOSFET Transistors, MagnaChip

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$ 2.922

Each (In a Tube of 5) (Sin IVA)

$ 3.477,18

Each (In a Tube of 5) (IVA Incluido)

MOSFET MagnaChip MMF65R190PTH, VDSS 650 V, ID 20 A, TO-220F de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 14.610
10$ 29.220
15$ 43.830
20$ 58.440
25$ 73.050
30$ 87.660
35$ 102.270
40$ 116.880
45$ 131.490
50$ 146.100
55$ 160.710
60$ 175.320
65$ 189.930
70$ 204.540
75$ 219.150

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25$ 73.050
30$ 87.660
35$ 102.270
40$ 116.880
45$ 131.490
50$ 146.100
55$ 160.710
60$ 175.320
65$ 189.930
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Tipo de montaje

Through Hole

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

190 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

34 W

Transistor Configuration

Single

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±30 V

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1

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Longitud

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Carga Típica de Puerta @ Vgs

53 nC a 10 V

Ancho

4.93mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.4V

Altura

16.13mm

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