MOSFET MagnaChip MMF60R580PTH, VDSS 600 V, ID 8 A, TO-220F de 3 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

TO-220F

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

580 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

26 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.71mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18 nC a 10 V

Profundidad

4.93mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Tensión de diodo directa

1.4V

Altura

16.13mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

País de Origen

China