MOSFET MagnaChip MMF60R360PTH, VDSS 600 V, ID 11 A, TO-220F de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MagnaChipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220F
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
360 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
31000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
10.71mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Ancho
4.93mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
16.13mm
Tensión de diodo directa
1.4V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
Súper empalme MOSFET (SJ)
Estos MOSFET utilizan tecnología de súper empalme MagnaChip para proporcionar baja resistencia en funcionamiento y carga de compuerta. Son sumamente eficientes gracias al uso de tecnología de acoplamiento de carga optimizada.
EMI bajo
Baja pérdida de potencia mediante conmutación de alta velocidad y baja resistencia en funcionamiento
MOSFET Transistors, MagnaChip
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MagnaChipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220F
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
360 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
31000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
10.71mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Ancho
4.93mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
16.13mm
Tensión de diodo directa
1.4V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
Súper empalme MOSFET (SJ)
Estos MOSFET utilizan tecnología de súper empalme MagnaChip para proporcionar baja resistencia en funcionamiento y carga de compuerta. Son sumamente eficientes gracias al uso de tecnología de acoplamiento de carga optimizada.
EMI bajo
Baja pérdida de potencia mediante conmutación de alta velocidad y baja resistencia en funcionamiento
MOSFET Transistors, MagnaChip
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products