MOSFET MagnaChip MDU1518URH, VDSS 30 V, ID 94 A, PowerDFN56 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MagnaChipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
94 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerDFN56
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
65.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28,8 nC a 10 V
Ancho
5.1mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET (LV) de baja tensión
Estos MOSFET (LV) de baja tensión proporcionan una resistencia en funcionamiento baja y un rendimiento de conmutación bajo.
MOSFET Transistors, MagnaChip
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$ 470
Each (On a Reel of 25) (Sin IVA)
$ 559,30
Each (On a Reel of 25) (IVA Incluido)
25
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N
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94 A
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30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerDFN56
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
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6.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
65.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28,8 nC a 10 V
Ancho
5.1mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET (LV) de baja tensión
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