MOSFET MagnaChip MDS3603URH, VDSS 30 V, ID 12 A, SOIC de 8 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MagnaChipTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38.4 nC @ 10 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Altura
1.5mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET (LV) de baja tensión
Estos MOSFET (LV) de baja tensión proporcionan una resistencia en funcionamiento baja y un rendimiento de conmutación bajo.
MOSFET Transistors, MagnaChip
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MagnaChipTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38.4 nC @ 10 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Altura
1.5mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET (LV) de baja tensión
Estos MOSFET (LV) de baja tensión proporcionan una resistencia en funcionamiento baja y un rendimiento de conmutación bajo.
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