MOSFET MagnaChip MDS1525URH, VDSS 30 V, ID 17 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 871-4987Marca: MagnaChipNúmero de parte de fabricante: MDS1525URH
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

17 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

14.9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.7V

Disipación de Potencia Máxima

5.1 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

4.9mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13 nC a 10 V

Profundidad

3.9mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.1V

Altura

1.5mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET (LV) de baja tensión

Estos MOSFET (LV) de baja tensión proporcionan una resistencia en funcionamiento baja y un rendimiento de conmutación bajo.

MOSFET Transistors, MagnaChip

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Each (On a Reel of 25) (Sin IVA)

$ 479,57

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N

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SOIC W

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

14.9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.7V

Disipación de Potencia Máxima

5.1 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

4.9mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13 nC a 10 V

Profundidad

3.9mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

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Tensión de diodo directa

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Altura

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