MOSFET MagnaChip MDS1524URH, VDSS 30 V, ID 19 A, SOIC de 8 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MagnaChipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
11.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
5.3 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
3.9mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
4.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16,2 nC a 10 V
Altura
1.5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET (LV) de baja tensión
Estos MOSFET (LV) de baja tensión proporcionan una resistencia en funcionamiento baja y un rendimiento de conmutación bajo.
MOSFET Transistors, MagnaChip
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P.O.A.
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Brand
MagnaChipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
11.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
5.3 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
3.9mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
4.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16,2 nC a 10 V
Altura
1.5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET (LV) de baja tensión
Estos MOSFET (LV) de baja tensión proporcionan una resistencia en funcionamiento baja y un rendimiento de conmutación bajo.
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