Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MagnaChipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
270 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
236 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Ancho
4.83mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.4V
Altura
16.51mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET (HV) de alta tensión
MOSFET de canal N de alta tensión, con resistencia de encendido baja y alto rendimiento de conmutación.
MOSFET Transistors, MagnaChip
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P.O.A.
5
P.O.A.
5
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Especificaciones
Brand
MagnaChipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
270 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
236 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Ancho
4.83mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.4V
Altura
16.51mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET (HV) de alta tensión
MOSFET de canal N de alta tensión, con resistencia de encendido baja y alto rendimiento de conmutación.