MOSFET MagnaChip MDF11N60BTH, VDSS 660 V, ID 11 A, TO-220F de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 871-4915Marca: MagnaChipNúmero de parte de fabricante: MDF11N60BTH
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

MagnaChip

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

660 V

Tipo de Encapsulado

TO-220F

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

550 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Disipación de Potencia Máxima

49 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

4.93mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

10.71mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

38.4 nC @ 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Altura

16.13mm

Tensión de diodo directa

1.4V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET (HV) de alta tensión

MOSFET de canal N de alta tensión, con resistencia de encendido baja y alto rendimiento de conmutación.

MOSFET Transistors, MagnaChip

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$ 1.188

Each (In a Tube of 10) (Sin IVA)

$ 1.413,72

Each (In a Tube of 10) (IVA Incluido)

MOSFET MagnaChip MDF11N60BTH, VDSS 660 V, ID 11 A, TO-220F de 3 pines, config. Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 11.880
20$ 23.760
30$ 35.640
40$ 47.520
50$ 54.650
60$ 65.580
70$ 76.510
80$ 87.440
90$ 98.370
100$ 102.700
110$ 112.970
120$ 123.240
130$ 133.510
140$ 143.780
150$ 154.050

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10

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60$ 65.580
70$ 76.510
80$ 87.440
90$ 98.370
100$ 102.700
110$ 112.970
120$ 123.240
130$ 133.510
140$ 143.780
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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Tubo
10 - 40$ 1.188$ 11.880
50 - 90$ 1.093$ 10.930
100 - 240$ 1.027$ 10.270
250 - 490$ 945$ 9.450
500+$ 869$ 8.690

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Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

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660 V

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TO-220F

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

550 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Disipación de Potencia Máxima

49 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

4.93mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

10.71mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

38.4 nC @ 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Altura

16.13mm

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