Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MagnaChipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9 nC a 10 V
Profundidad
6.22mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V
PRICED TO CLEAR
Yes
Altura
2.39mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET (HV) de alta tensión
MOSFET de canal N de alta tensión, con resistencia de encendido baja y alto rendimiento de conmutación.
MOSFET Transistors, MagnaChip
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P.O.A.
50
P.O.A.
50
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Especificaciones
Brand
MagnaChipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9 nC a 10 V
Profundidad
6.22mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V
PRICED TO CLEAR
Yes
Altura
2.39mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET (HV) de alta tensión
MOSFET de canal N de alta tensión, con resistencia de encendido baja y alto rendimiento de conmutación.