MOSFET MagnaChip MDD1501RH, VDSS 30 V, ID 67 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 871-4895Marca: MagnaChipNúmero de parte de fabricante: MDD1501RH
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

MagnaChip

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

67 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8.6 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.7V

Disipación de Potencia Máxima

44,6 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20,7 nC a 10 V

Ancho

6.22mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.1V

Altura

2.39mm

País de Origen

Korea, Republic Of

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P.O.A.

MOSFET MagnaChip MDD1501RH, VDSS 30 V, ID 67 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 25.

Producción -

Disponible en múltiplos de 25.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

25

Disponible en múltiplos de 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

P.O.A.

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N

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Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8.6 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.7V

Disipación de Potencia Máxima

44,6 W

Transistor Configuration

Single

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±20 V

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1

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+150 ºC

Longitud:

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Ancho

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Si

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