Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MacronixTamaño de la Memoria
4Gbit
Tipo de Interfaz
Parallel
Tipo de Encapsulado
TSOP
Número de pines
48
Organización
512M x 8 bit
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Célula
NAND
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Organización de Bloques
Symmetrical
Largo
12.1mm
Altura
1.05mm
Anchura
18.5mm
Dimensiones
18.5 x 12.1 x 1.05mm
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
25ns
Series
MX30LF
Número de palabras
512M
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Número de Bits de Palabra
8bit
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto
Memoria Flash NAND SLC
Macronix ofrece los productos SLC NAND de baja densidad de densidades de 512 Mbits a 4 Gbits con encapsulados y características estándar del sector.
Celda de un nivel (SLC)
Flash Memory, Macronix
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Bandeja)
1
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1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MacronixTamaño de la Memoria
4Gbit
Tipo de Interfaz
Parallel
Tipo de Encapsulado
TSOP
Número de pines
48
Organización
512M x 8 bit
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Célula
NAND
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Organización de Bloques
Symmetrical
Largo
12.1mm
Altura
1.05mm
Anchura
18.5mm
Dimensiones
18.5 x 12.1 x 1.05mm
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
25ns
Series
MX30LF
Número de palabras
512M
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Número de Bits de Palabra
8bit
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto
Memoria Flash NAND SLC
Macronix ofrece los productos SLC NAND de baja densidad de densidades de 512 Mbits a 4 Gbits con encapsulados y características estándar del sector.
Celda de un nivel (SLC)


