Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
LittelfuseCorriente Máxima Continua del Colector
50 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
365 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±15V
Disipación de Potencia Máxima
165 W
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Dimensiones del Cuerpo
10.29 x 9.65 x 4.83mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
Discretos IGBT, ON Semiconductor
Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
$ 12.600
$ 2.520 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 14.994
$ 2.998,80 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
$ 12.600
$ 2.520 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 14.994
$ 2.998,80 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
Estándar
5
Volver a intentar más tarde
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
LittelfuseCorriente Máxima Continua del Colector
50 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
365 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±15V
Disipación de Potencia Máxima
165 W
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Dimensiones del Cuerpo
10.29 x 9.65 x 4.83mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
Discretos IGBT, ON Semiconductor
Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.


