Módulo IGBT, MG06400D-BN4MM, N-Canal, 460 A, 600 V, Módulo 62MM, 7-Pines, 1MHZ Serie

Código de producto RS: 794-4635Marca: LittelfuseNúmero de parte de fabricante: MG06400D-BN4MM
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Littelfuse

Corriente Máxima Continua del Colector

460 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

1.400 W

Tipo de Encapsulado

Módulo 62MM

Configuration

Series

Tipo de Montaje

Panel Mount

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

7

Velocidad de Conmutación

1MHz

Transistor Configuration

Serie

Dimensiones del Cuerpo

108 x 62 x 30.5mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

País de Origen

China

Datos del producto

IGBT Modules, Littelfuse

Pérdida ultra baja
Dureza alta
Capacidad de cortocircuito alta
Coeficiente de temperatura positivo
Aplicaciones en variadores de motor, inversor, convertidor CC/CC, SMPS y UPS

IGBT Discretes & Modules

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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P.O.A.

Módulo IGBT, MG06400D-BN4MM, N-Canal, 460 A, 600 V, Módulo 62MM, 7-Pines, 1MHZ Serie
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

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±20V

Disipación de Potencia Máxima

1.400 W

Tipo de Encapsulado

Módulo 62MM

Configuration

Series

Tipo de Montaje

Panel Mount

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

7

Velocidad de Conmutación

1MHz

Transistor Configuration

Serie

Dimensiones del Cuerpo

108 x 62 x 30.5mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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