Módulo IGBT, MUBW15-12A6K, N-Canal, 19 A, 1.200 V, 25-Pines Trifásico

Código de producto RS: 194-596Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: MUBW15-12A6K
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Corriente Máxima Continua del Colector

19 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Configuración

3 Phase Bridge

Tipo de Montaje

PCB Mount

Tipo de canal

N

Conteo de Pines

25

Configuración de transistor

Trifásico

Dimensiones

82 x 37.4 x 17.1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

125 °C

Datos del producto

Módulos IGBT, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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P.O.A.

Módulo IGBT, MUBW15-12A6K, N-Canal, 19 A, 1.200 V, 25-Pines Trifásico

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

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N

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25

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Dimensiones

82 x 37.4 x 17.1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

125 °C

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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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