Módulo transistor IGBT, MIXA300PF1200TSF, Doble, 465 A, 1.200 V, N-Canal, SimBus F, 11-Pines Serie

Código de producto RS: 124-0711Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: MIXA300PF1200TSF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Corriente Máxima Continua del Colector

465 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±30V

Disipación de Potencia Máxima

1,5 kW

Tipo de Encapsulado

SimBus F

Configuration

Dual

Tipo de montaje

PCB Mount

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

11

Transistor Configuration

Series

Dimensiones

152 x 62 x 17mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Datos del producto

IGBT Modules, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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P.O.A.

Módulo transistor IGBT, MIXA300PF1200TSF, Doble, 465 A, 1.200 V, N-Canal, SimBus F, 11-Pines Serie

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

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Disipación de Potencia Máxima

1,5 kW

Tipo de Encapsulado

SimBus F

Configuration

Dual

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Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

11

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Series

Dimensiones

152 x 62 x 17mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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