Módulo IGBT, MII100-12A3, N-Canal, 135 A, 1.200 V, Y4 M5, 7-Pines Serie
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSCorriente Máxima Continua del Colector
135 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Tipo de Encapsulado
Y4 M5
Configuration
Series
Tipo de Montaje
Panel Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
7
Transistor Configuration
Series
Dimensiones
94 x 34 x 30mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 89.571
Each (In a Box of 6) (Sin IVA)
$ 106.589,49
Each (In a Box of 6) (IVA Inc.)
6
$ 89.571
Each (In a Box of 6) (Sin IVA)
$ 106.589,49
Each (In a Box of 6) (IVA Inc.)
6
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSCorriente Máxima Continua del Colector
135 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Tipo de Encapsulado
Y4 M5
Configuration
Series
Tipo de Montaje
Panel Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
7
Transistor Configuration
Series
Dimensiones
94 x 34 x 30mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos